Imaxe destacada do subsistema de láser de diodo enchufable de 50 W

Subsistema láser de diodo enchufable de 50 W

Descrición curta:

O subsistema láser de semicondutores 405 pode proporcionar unha potencia de saída de 12W a 50W, moi utilizado na litografía LDI/sen máscara e outras aplicacións;O sistema está totalmente deseñado como unha fibra enchufable de 400um, o que é doado para o mantemento do usuario;O uso do esquema de homoxeneización puntual pode ser máis axeitado para aplicacións LDI.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Detalle do produto

O deseño enchufable facilita moito o mantemento do usuario, evita varios problemas e altos custos de tempo causados polo mantemento de volta á fábrica e facilita a xestión unificada da enerxía mediante a entrada de CC, que se pode controlar remotamente a través do porto serie RS232.

Características principais

Lonxitude de onda: 976/915/808 nm
Potencia de saída: ata 50 W
Diámetro do núcleo da fibra: 200 μm
Apertura numérica da fibra óptica: 0,22 NA

Aplicacións

Soldadura plástica
Investigación científica
Soldadura láser

Especificacións(25℃)		Unidade	MS-A50	MS-B50	MS-C30
Datos ópticos⁽¹⁾	Potencia de saída CW	W	50	50	30
	Lonxitude de onda central	nm	976 ± 10	915 ± 10	808 ± 10
	Ancho espectral (FWHM)	nm	＜6
	Cambio da lonxitude de onda coa temperatura	nm/°C	0,3
	Inestabilidade da potencia de saída（25℃）	%	±3（5 horas）
	Rango de potencia	%	10~100
Datos de fibra⁽¹⁾	Diámetro do núcleo	µm	200/400
	Apertura numérica	-	0,22
	Fibra enchufable	m	5 m/10 m, blindaxe de 3 mm, cabezas macho SMA905 nos dous extremos
	Terminación de fibra	-	SMA905 feminino
EléctricoData	Fonte de alimentación	V	DC 24 V
	Corrente de saída	A	＜7A
	Consumo de enerxía	W	<150
	Modo de condución	-	Corrente constante
	Modo de emisión	-	CW o modulado de 1 Hz a 20 kHz,
	Modo de control	-	RS232, E/S
	Frecuencia de modulación	Hz	1~20K (DC>0,01%)
	Ancho de pulso de modulación	-	20 µs -950 ms (pulso)/20 µs-999 ms (pulso único)
	Tempo de subida/descenso da modulación (valor mínimo)	µs	≤10
ApuntandoBeam Datos⁽²⁾	Lonxitude de onda central	nm	635 ±10nm
	Potencia de saída CW	mW	2
Parámetros mecánicos	Dimensións (L×W×H)⁽³⁾	mm	242156120
	Peso	kg	<5
Outros	Método de arrefriamento	-	Refrixeración por aire
	Temperatura de almacenamento⁽⁴⁾	℃	5~50
	Temperatura ambiente en funcionamento⁽⁴⁾	℃	15~30
	Requisito de refrixeración	-	Refrixeración por aire
	Humidade relativa	%	5~80
	Clase de seguridade	-	4（EN 60825-01）

(1)Consulta a BWT para coñecer outras opcións dispoñibles.
(2) O feixe de puntería pódese personalizar segundo os requisitos do cliente.
(3) As dimensións mecánicas dependen da potencia do láser e do modo de refrixeración.
(4) Requírese un ambiente sen condensación para o funcionamento e o almacenamento

NOTAS DE FUNCIONAMENTO

♦ Evitar a exposición dos ollos e da pel á radiación directa durante a operación.

♦ Asegúrese de que o extremo de saída da fibra estea limpo correctamente antes de utilizar o láser.Siga os protocolos de seguridade para evitar lesións ao manipular e cortar a fibra.

♦ O díodo láser debe utilizarse segundo as especificacións.

♦ A temperatura ambiente en funcionamento varía de 15 ℃ a 30 ℃.

♦ A temperatura de almacenamento varía entre 5 ℃ e 50 ℃.

Anterior: Subsistema láser de diodos acoplados a fibra de 405 nm

Seguinte: Láser de diodo acoplado a fibra de 520 nm - Láser verde

Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo