BWT propuxo a teoría da disposición espacial densa (DSBC) e comprobou a corrección do DSBC mediante o experimento da fonte de bomba a nivel de quilovatios.Actualmente, a potencia dun só tubo aumentou a 15W-30W@BPP≈5-12mm*mrad e a eficiencia electro-óptica é > 60%, o que permite que a fonte de bomba de alta potencia xunto coa saída de fibra manteña un alto nivel. saída de brillo mentres reduce o volume, é posible reducir o peso e mellorar a eficiencia de conversión electro-óptica.

Usando o chip actual, BWT realizou respectivamente unha fonte de bomba cun diámetro de núcleo de 135 μm NA0.22 saída acoplada a fibra 420 W de lonxitude de onda bloqueada a 976 nm, calidade ≈ 500 g;e un diámetro do núcleo de 220μm NA0.22 fibra acoplada saída 1000W lonxitude de onda única 976nm (ou 915nm), calidade ≈ 400g fonte de bomba.

No futuro, coa mellora do brillo do chip de semicondutores e da eficiencia electro-óptica, as fontes de bombas lixeiras e de alta potencia desempeñarán un papel insubstituíble na fabricación de fontes de luz láser de fibra de alta potencia de pequeno volume e promoverán activamente o desenvolvemento. de aplicacións industriais.

Introdución
Os láseres de fibra creceron rapidamente debido á súa excelente calidade de feixe e ás súas capacidades de expansión de potencia flexibles (combinadores de fibra).Nos últimos anos, os láseres de fibra única monomodo están limitados polos efectos TMI (inestabilidade de modo transversal) e SRS, e a potencia dos osciladores láser de fibra de bombeo directo de semicondutores está limitada a 5 kW.
[1].O amplificador láser tamén está parado a 10 kW
[2].Aínda que a potencia de saída pódese aumentar aumentando adecuadamente o diámetro do núcleo, a calidade do feixe de saída tamén diminúe -1.Non obstante, a demanda de mellorar o brillo das fontes de bombas de semicondutores segue sendo urxente.
Os requisitos para a calidade do feixe en aplicacións de procesamento industrial non son necesariamente monomodo.Para aumentar a potencia da fibra única, permítense algúns modos de orde baixa.Ata agora, fontes de luz láser multimodo combinadas de fibra única e feixe de poucos modos baseadas nun bombeo de 976 nm de máis de 5 kW Con aplicacións por lotes (principalmente corte e soldadura de materiais metálicos), a produción de fontes de bomba de alta potencia correspondentes tamén é escalado por lotes.
Máis pequeno, máis lixeiro e máis estable
A relación entre o chip semicondutor BPP e o brillo da fonte da bomba
Hai tres anos, o brillo dos chips de 9xxnm estaba principalmente ao nivel de 3W/mm*mrad@12W-100μm de ancho de tira e 2W/mm*mrad@18W-200μm de ancho de tira.En base a tales chips, BWT consegue 600W e 1000W 200μm NA0.22 saída acoplada a fibra-1.
Na actualidade, o brillo dos chips de 9xxnm alcanzou 3,75 W/mm*mrad@15W-100μm de ancho de tira e 3W/mm*mrad@30W-230μm de ancho de tira, e a eficiencia electro-óptica mantense basicamente ao redor do 60%.
Segundo a teoría da disposición espacial densa [6], calcúlase segundo a eficiencia media de acoplamento de fibras do 78% (emisión láser do chip á saída de acoplamento de fibra: combinación de feixe espacial de lonxitude de onda única e combinación de feixe de polarización sen VBG), e suponse que o chip funciona coa maior potencia (O chip BPP é diferente a diferentes correntes), compilamos un mapa de datos do seguinte xeito:

* Brillo do chip VS potencia de saída de acoplamento de fibra de diámetro de núcleo diferente

A partir da figura anterior pódese atopar que cando unha determinada fibra (diámetro do núcleo e NA está fixada) consegue unha saída de acoplamento de potencia específica, para chips con diferente brillo, o número de chips é diferente e o volume e o peso da fonte da bomba. tamén son diferentes.Para os requisitos de bombeo do láser de fibra, se se selecciona a fonte da bomba feita dos chips anteriores con brillo diferente, o peso e o volume do láser de fibra da mesma potencia son completamente diferentes e a configuración do sistema de refrixeración por auga tamén é ben diferente.
A alta eficiencia, o pequeno tamaño e o peso lixeiro son as tendencias inevitables no desenvolvemento das futuras fontes de luz láser (sexan láseres de diodo, láseres de estado sólido ou láseres de fibra), e o brillo, a eficiencia e a potencia dos chips semicondutores xogan un papel decisivo nel. .
Lixeiro, alto brillo, fonte de bomba de alta potencia
Para adaptarse ao combinador de fibras, seleccionamos especificacións comúns de fibra: 135μm NA0.22 e 220μm NA0.22.O deseño óptico das dúas fontes de bomba adopta unha disposición espacial densa e unha combinación de feixe de polarización.
Entre eles, o 420WLD adopta un chip de 3,75 W/mm*mrad@15W e unha fibra NA0,22 de 135 μm, e ten bloqueo de lonxitude de onda VBG, que cumpre os requisitos de bloqueo da onda de potencia do 30-100% e a eficiencia electro-óptica é do 41% .O corpo LD está feito de material de aliaxe de aluminio e estrutura sándwich [5].As fichas superior e inferior comparten a canle de refrixeración por auga, o que mellora a utilización do espazo.A disposición do punto de luz, o espectro e a potencia de saída (potencia na fibra) móstranse na figura:

*420W@135μm NA0.22 LD

Seleccionamos 6 LD para probas de choque e vibración a alta e baixa temperatura.Os datos da proba son os seguintes: